DDR3內(nèi)存河南科技市場(chǎng)網(wǎng)測(cè)評(píng)

　　(2019-11-23)河南鄭州科技市場(chǎng)IT產(chǎn)品配送網(wǎng)-鄭州電腦手機(jī)測(cè)評(píng)中心

　　2008年對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)，特別是DDR2內(nèi)存，可說(shuō)是一個(gè)動(dòng)蕩的年代。內(nèi)存的狂跌，一方面使得市場(chǎng)需求擴(kuò)大，內(nèi)存升級(jí)趨勢(shì)明顯;而另一方面，由于內(nèi)存價(jià)格不穩(wěn)，不停下滑，也使得不少人擔(dān)心錯(cuò)過(guò)最佳購(gòu)買(mǎi)時(shí)機(jī)，不敢輕易下手，這種情況直到2008年年底DDR2內(nèi)存價(jià)格穩(wěn)定在“大白菜”階段才逐漸改變。不過(guò)價(jià)格的動(dòng)蕩并不能改變DDR2內(nèi)存逐漸出局的現(xiàn)實(shí)，隨著Intel Nehalem平臺(tái)的問(wèn)世，DDR3內(nèi)存必然將逐步接管DDR2內(nèi)存的市場(chǎng)。所以不管怎么看，DDR2內(nèi)存在2008年的表現(xiàn)都像是最后的瘋狂，而隨著2008年的逝去，DDR2的光環(huán)也將漸漸暗淡并逐步退出歷史舞臺(tái)。

　　談到DDR3內(nèi)存，說(shuō)實(shí)話，盡管Intel從3系列芯片組開(kāi)始就可以支持DDR3內(nèi)存，但由于DDR3內(nèi)存價(jià)格的關(guān)系，無(wú)論是主板廠商還是消費(fèi)者，都依然將DDR2內(nèi)存作為首選。DDR2內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存，除了價(jià)格上有無(wú)可爭(zhēng)議的優(yōu)勢(shì)外，DDR2的低延遲也使得性能并不遜色于最早的DDR3內(nèi)存(比如DDR3 1066)。不過(guò)從芯片組以及處理器的發(fā)展來(lái)看，DDR3內(nèi)存在2009年必然逐步走向主流，同時(shí)隨著價(jià)格的下滑以及頻率的提高，DDR3內(nèi)存對(duì)比DDR2內(nèi)存的劣勢(shì)隨著時(shí)間的推移也將蕩然無(wú)存。而本次我們策劃了主流DDR3內(nèi)存測(cè)試，就是希望能在DDR3內(nèi)存這波狂潮即將來(lái)臨之際，讓消費(fèi)者了解到目前市面上主流DDR3內(nèi)存的性能，更順利地搭上這艘IT新時(shí)代的巨輪。

　　DDR3內(nèi)存的技術(shù)亮點(diǎn)

　　盡管自DDR3內(nèi)存問(wèn)世以來(lái)，我們河南科技市場(chǎng)網(wǎng)就對(duì)DDR3內(nèi)存做過(guò)多次報(bào)道，不過(guò)在測(cè)試之際，我們還是有必要再一次談?wù)凞DR3內(nèi)存在技術(shù)上的亮點(diǎn)。DDR3內(nèi)存可達(dá)到的頻率上限超過(guò)2000MHz，和DDR2一樣，它使用預(yù)讀取技術(shù)提升外部頻率并降低存儲(chǔ)單元運(yùn)行頻率，這次的預(yù)讀取位數(shù)是8bit。數(shù)據(jù)預(yù)讀取技術(shù)具體實(shí)現(xiàn)的方式是用兩倍于DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)預(yù)取架構(gòu)來(lái)增強(qiáng)存儲(chǔ)單元并行運(yùn)行能力，在提供相同傳輸速率的同時(shí)降低了存儲(chǔ)單元的運(yùn)行頻率，和DDR400/DDR2 800內(nèi)存的200MHz存儲(chǔ)單元運(yùn)行頻率相比，DDR3 1066內(nèi)存的存儲(chǔ)單元僅運(yùn)行在133MHz，由于存儲(chǔ)單元的頻率很難在往上提升，因此200MHz存儲(chǔ)單元運(yùn)行頻率達(dá)到了大規(guī)模因應(yīng)用的極限，而DDR3還可以提升存儲(chǔ)單元頻率來(lái)提高DRAM輸出頻率，最終改善整個(gè)內(nèi)存模組能夠提供的帶寬。目前，JEDEC認(rèn)證了DDR3 800、DDR3 1066、DDR3 1333三種規(guī)格，此外部分芯片組還能夠在超頻之后支持DDR3 1600以上的內(nèi)存規(guī)格，從目前市面的DDR3內(nèi)存來(lái)看，DDR3 1066以及DDR3 1333是最常見(jiàn)。

　　相對(duì)DDR2內(nèi)存而言，DDR3內(nèi)存在技術(shù)上還有很多改變。其中點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接是DDR3和DDR2最關(guān)鍵的區(qū)別。點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的關(guān)系(單物理Bank的模組)，或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)的關(guān)系(雙物理Bank的模組)，從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。

　　除了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接外，新增的重置功能也是DDR3內(nèi)存的一項(xiàng)重要功能。為了這項(xiàng)功能，DDR3內(nèi)存為此專(zhuān)門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳，這一引腳使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。值得一提的是，目前的DDR3內(nèi)存很多還是1GB的，不過(guò)在以后，新型的DDR3內(nèi)存將從2GB容量起步，這種內(nèi)存的邏輯Bank為8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備，這樣以后我們?cè)谑忻嫔暇湍芸吹胶芏鄦胃?GB容量的DDR3內(nèi)存了。此外，DDR3內(nèi)存支持根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新及局部自刷新等其它一些功能，聯(lián)合重置功能和1.5V的低操作電壓，所以DDR3內(nèi)存在功耗方面要比DDR2內(nèi)存更為出色。

　　Intel推動(dòng)DDR3內(nèi)存普及

　　在2008年11月，Intel發(fā)布了Core i7處理器與X58主板。和過(guò)去的芯片組不同，這次Core i7內(nèi)置了內(nèi)存控制器，同時(shí)只支持DDR3內(nèi)存，而且在未來(lái)，Intel的Nehalem中低端處理器與配套的主板也不再支持DDR2內(nèi)存。從這一刻開(kāi)始，我們可以宣布DDR2內(nèi)存徹底將于Intel主板絕緣，這樣不管消費(fèi)者愿意不愿意，只要升級(jí)到Nehalem平臺(tái)，那么就只能使用DDR3內(nèi)存。考慮到Intel在市場(chǎng)的份額和影響力，DDR3內(nèi)存的迅速普及基本上已經(jīng)成為了定局。

　　在2009年，AMD的AM3處理器以及相應(yīng)的主板即將問(wèn)世，屆時(shí)AMD也將徹底拋開(kāi)DDR2內(nèi)存，讓AM3平臺(tái)只支持DDR3內(nèi)存。可以說(shuō)，Phenom Ⅱ同時(shí)支持DDR2和DDR3這種產(chǎn)品策略，一方面可以讓原AMD用戶在升級(jí)的時(shí)候有更多的選擇，另一方面AMD也是希望在Intel全面轉(zhuǎn)向DDR3內(nèi)存時(shí)，市場(chǎng)能留有一些可乘之機(jī)可供AM2+平臺(tái)利用。

　　不管怎么說(shuō)，2009年都將是DDR3內(nèi)存正式接手內(nèi)存市場(chǎng)的時(shí)期。當(dāng)然，由于不少用戶依然使用著Core2平臺(tái)，再加上AM2+平臺(tái)依然支持DDR2內(nèi)存，所以DDR2內(nèi)存依然有一些生存的空間。但無(wú)論是已經(jīng)進(jìn)入DDR3時(shí)代的Intel，還是即將進(jìn)入DDR3時(shí)代的AMD，DDR3都是他們更好的選擇。而作為消費(fèi)者而言，不管是主動(dòng)還是被動(dòng)，不管是早還是晚，能做的事情都只有一件：接受DDR3內(nèi)存。

　　測(cè)試平臺(tái)

　　主板：華碩Rampage II Extreme

　　處理器：Intel Core i7 940

　　顯卡：NVIDIA GeForce GTX260

　　硬盤(pán)：希捷7200.11 1TB

　　顯示器：AOC 619Fh

　　電源：航嘉多核F1

　　系統(tǒng)：Windows Vista SP1

　　在本次內(nèi)存年度測(cè)試中，我們并沒(méi)有使用過(guò)去的Intel的3系列或者4系列芯片組來(lái)測(cè)試DDR3內(nèi)存，而是采用了華碩X58主板Rampage II Extreme搭配Intel的Core i7 940處理器來(lái)測(cè)試內(nèi)存。因?yàn)槲覀冋J(rèn)為，這樣搭配的一套平臺(tái)，是消費(fèi)者可以在市場(chǎng)上購(gòu)買(mǎi)到的，具有實(shí)際的意義。同時(shí)，也只有在這樣一套平臺(tái)上，大家才能了解到DDR3內(nèi)存的真實(shí)性能。所以，本次測(cè)試的DDR3內(nèi)存，每一家廠商的產(chǎn)品都是采用了DDR3 1333 1GB×3這樣的組合，用以適應(yīng)Core i7平臺(tái)的三通道內(nèi)存系統(tǒng)。

　　在這次評(píng)測(cè)中，我們主要測(cè)試的是每一家廠商內(nèi)存產(chǎn)品的基礎(chǔ)性能、參數(shù)延遲優(yōu)化、超頻性能。在測(cè)試中，我們主要采用像PCMark Vantage、SiSoftware Sandra等標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試軟件以及一款3D游戲來(lái)測(cè)試每一款內(nèi)存的性能。而在參數(shù)優(yōu)化選擇上，我們則在主板BIOS中手動(dòng)調(diào)整內(nèi)存的時(shí)序，讓內(nèi)存達(dá)到能穩(wěn)定運(yùn)行的最低時(shí)序，同時(shí)測(cè)試在延遲參數(shù)優(yōu)化后的性能表現(xiàn)。而超頻測(cè)試方面，我們則通過(guò)提升處理器的外頻來(lái)提升內(nèi)存的頻率，直至內(nèi)存無(wú)法穩(wěn)定工作，超頻時(shí)內(nèi)存的時(shí)序一律統(tǒng)一為9-10-10-25。

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)小知識(shí)：

　　內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示。其中第一個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間(CAS Latency)，即我們常說(shuō)的CL值;第二個(gè)數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時(shí)間(tRCD);第三個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間(tRP)，即內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問(wèn)到重新開(kāi)始的間隔時(shí)間;第四個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時(shí)間(tRAS)。一般來(lái)說(shuō)，這4個(gè)數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。

　　值得一提的是，考慮到Core i7內(nèi)置內(nèi)存控制器，其處理器核心電壓和內(nèi)存電壓同步，如果我們采用提升內(nèi)存電壓的方式來(lái)進(jìn)行超頻，那么很可能讓處理器超過(guò)安全電壓，所以本次測(cè)試，我們并沒(méi)有對(duì)內(nèi)存進(jìn)行加壓，所有測(cè)試都是在內(nèi)存以及處理器的默認(rèn)電壓下進(jìn)行。最后我們還將用測(cè)溫儀測(cè)試每一款內(nèi)存在工作時(shí)的溫度，看看DDR3在工作時(shí)的溫度是否相比過(guò)去DDR2時(shí)代有所降低。

　　金士頓ValueRam DDR3 1333

　　默認(rèn)時(shí)序：9-10-10-25

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：648元(套裝三條)

　　金士頓ValueRam DDR3 1333在做工上延續(xù)了金士頓的一向風(fēng)格，看上去樸實(shí)無(wú)華。這款內(nèi)存采用了日本爾必達(dá)的內(nèi)存顆粒，內(nèi)存時(shí)序設(shè)定得比較保守，僅為9-10-10-25，和過(guò)去金士頓的一些DDR3內(nèi)存條的參數(shù)有較大差距。內(nèi)存在工作時(shí)的溫度為39℃，發(fā)熱量較小。這款內(nèi)存在測(cè)試中，PCMark Vantage成績(jī)不錯(cuò)，在內(nèi)存時(shí)序如此之高的情況下，有這樣的成績(jī)的確是難能可貴，這和內(nèi)存優(yōu)秀的電氣性能是分不開(kāi)的。經(jīng)過(guò)我們的調(diào)整，這款內(nèi)存的時(shí)序可以優(yōu)化為6-7-7-18，此時(shí)，各項(xiàng)性能測(cè)試的成績(jī)都有了一定的提升。值得一提的是，如果我們將內(nèi)存時(shí)序調(diào)整為6-6-6-15，此時(shí)依然可以開(kāi)機(jī)并穩(wěn)定運(yùn)行程序，但是各項(xiàng)性能測(cè)試的成績(jī)卻大幅度的下降。金士頓這款內(nèi)存的超頻性能在參測(cè)產(chǎn)品中并不突出，在不加電壓的情況下，內(nèi)存最高能達(dá)到DDR3 1680。

　　KingMAX(勝創(chuàng))DDR3 1333

　　默認(rèn)時(shí)序：9-10-10-23

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：

　　勝創(chuàng)的這款DDR3 1333 內(nèi)存做工比較嚴(yán)謹(jǐn)，采用了爾必達(dá)的內(nèi)存顆粒，默認(rèn)的內(nèi)存時(shí)序也相當(dāng)?shù)停贒DR3 1333下只有9-10-10-25。這款內(nèi)存工作時(shí)的發(fā)熱量也不高，只有38℃。勝創(chuàng)這款產(chǎn)品在默認(rèn)參數(shù)下，除了內(nèi)存的讀取速度，其他性能在參測(cè)產(chǎn)品中只能算一般。不過(guò)這款內(nèi)存最大的優(yōu)勢(shì)就在于可以將時(shí)序調(diào)至很低，在經(jīng)過(guò)手動(dòng)調(diào)整后，這款內(nèi)存可以在6-6-6-15的時(shí)序下穩(wěn)定工作，這個(gè)時(shí)序也是本次參測(cè)產(chǎn)品在延遲優(yōu)化后的最低時(shí)序。在內(nèi)存延遲如此低的情況下，這款內(nèi)存的表現(xiàn)就相當(dāng)出色了，各項(xiàng)測(cè)試成績(jī)也在參測(cè)產(chǎn)品中名列前茅。勝創(chuàng)DDR3 1333內(nèi)存的超頻性尚可，在不加電壓以及9-10-10-25的默認(rèn)時(shí)序下，可以超到DDR3 1720的頻率上去。

　　威剛Vitesta DDR3 1333+

　　默認(rèn)時(shí)序：9-10-10-25

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：330元(單條)

　　威剛Vitesta DDR3 1333+內(nèi)存和過(guò)去的紅色威龍系列相仿，在內(nèi)存上加裝了紅色散熱片，看上去比較高端華貴。這款產(chǎn)品采用的是三星的內(nèi)存顆粒，在1.5V電壓下內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-10-10-25，而在1.75V下，這款內(nèi)存的時(shí)序可以達(dá)到7-8-8-21，當(dāng)然考慮到Core i7的處理器電壓，我們無(wú)法讓內(nèi)存運(yùn)行在高電壓環(huán)境下。由于加裝了散熱片，所以這款產(chǎn)品的工作溫度只有32℃，比較清涼。在默認(rèn)時(shí)序下，威剛這款產(chǎn)品的PCMark Vantage的成績(jī)還不錯(cuò)，但其他測(cè)試成績(jī)就不算突出了。在經(jīng)過(guò)手動(dòng)調(diào)整后，這款內(nèi)存可以運(yùn)行在7-7-7-18的時(shí)序下，此時(shí)測(cè)試成績(jī)有了一定的提升。威剛這款產(chǎn)品的超頻性能還不錯(cuò)，在默認(rèn)時(shí)序以及默認(rèn)電壓下，內(nèi)存可以超至DDR3 1740，這也是本次測(cè)試中超頻性能最好的一款產(chǎn)品。

　　三星金條DDR3 1333

　　默認(rèn)時(shí)序：9-10-10-25

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：270元(單條)

　　三星金條的質(zhì)量一向不錯(cuò)，這次參測(cè)的DDR3 1333在做工方面也延續(xù)三星的傳統(tǒng)，無(wú)論是做工還是電子元件的設(shè)計(jì)都比較出色。這款內(nèi)存采用了三星自家的SEC顆粒，默認(rèn)時(shí)序也是9-10-10-25，設(shè)置得比較保守。值得一提的是，在沒(méi)有加裝散熱片的情況下，這款內(nèi)存的工作溫度相當(dāng)?shù)停挥?5℃。在默認(rèn)時(shí)序下，這款內(nèi)存的PCMark Vantage的成績(jī)相當(dāng)出色，甚至比一些默認(rèn)時(shí)序較低產(chǎn)品成績(jī)還高，而在其他測(cè)試項(xiàng)目上，則沒(méi)有太大的區(qū)別。在經(jīng)過(guò)優(yōu)化調(diào)整后，這款內(nèi)存可以在7-7-7-18的時(shí)序下工作。三星這款內(nèi)存可以在默認(rèn)電壓下超至DDR3 1720，超頻性能還是不錯(cuò)。

　　金泰克烈焰版DDR3 1333

　　默認(rèn)時(shí)序：8-9-9-25

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：315(單條)

　　金泰克烈焰版DDR3 1333在內(nèi)存上加裝了鋁制散熱片，看上去比較高檔，由于散熱片和內(nèi)存顆粒貼得非常緊密，所以我們無(wú)法拆開(kāi)散熱片查看內(nèi)存顆粒。這款內(nèi)存的默認(rèn)時(shí)序在本次參測(cè)產(chǎn)品中設(shè)置得比較低，為8-9-9-25。內(nèi)存在工作時(shí)的溫度也不高，只有34℃。由于默認(rèn)時(shí)序較低，所以這款內(nèi)存的測(cè)試成績(jī)不錯(cuò)，除了PCMark以外，其他成績(jī)包括內(nèi)存讀寫(xiě)、ScienceMark的內(nèi)存得分在參測(cè)產(chǎn)品中都較為突出。這款內(nèi)存的時(shí)序可以優(yōu)化到7-7-7-18，此時(shí)，測(cè)試成績(jī)還可有一定的提升。金泰克烈焰版DDR3 1333內(nèi)存的超頻性能不錯(cuò)，在時(shí)序?yàn)?-10-10-25的設(shè)定下，可超至DDR3 1730。

　　宇瞻DDR3 1333

　　默認(rèn)參數(shù)：9-10-10-25

　　河南科技市場(chǎng)網(wǎng)價(jià)格：299元(單條)

　　宇瞻DDR3 1333內(nèi)存在外觀上和過(guò)去宇瞻的DDR2產(chǎn)品相比沒(méi)有什么區(qū)別，這款內(nèi)存也加裝了散熱片，所以工作溫度也不高，只有35℃。這款內(nèi)存默認(rèn)時(shí)序依然較高，和部分參測(cè)內(nèi)存相同，為9-10-10-25。在測(cè)試中，這款內(nèi)存的PCMark表現(xiàn)不錯(cuò)，其他成績(jī)則顯得一般。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，這款內(nèi)存的時(shí)序可以調(diào)整至7-7-7-18，內(nèi)存的成績(jī)有一定的提升。在超頻方面，這款內(nèi)存的表現(xiàn)不錯(cuò)，在默認(rèn)電壓以及默認(rèn)時(shí)序下可以超至DDR3 1740。

　　博帝DDR3 1333

　　默認(rèn)時(shí)序：9-9-9-24

　　價(jià)格：

　　博帝DDR3 1333內(nèi)存也加裝了鋁制散熱片，運(yùn)行時(shí)的工作溫度只有34℃。這款產(chǎn)品在1.5V電壓時(shí)的默認(rèn)時(shí)序?yàn)?-9-9-24，而在1.7V內(nèi)存電壓時(shí)，時(shí)序則為7-7-7-20，當(dāng)然由于處理器和內(nèi)存電壓同步的原因，我們也無(wú)法將內(nèi)存電壓調(diào)整至1.7V。由于默認(rèn)時(shí)序略低，所以這款內(nèi)存的成績(jī)還是不錯(cuò)，PCMark Vantage、內(nèi)存讀寫(xiě)以及ScienceMark的內(nèi)存得分比一些時(shí)序較高的產(chǎn)品略好。在經(jīng)過(guò)優(yōu)化后，即使不加電壓，這款內(nèi)存的時(shí)序也可以調(diào)整為7-7-7-18，這樣內(nèi)存的整體性能也有一定幅度的提升。此外，這款內(nèi)存將時(shí)序調(diào)整為9-10-10-25后，可以超至DDR3 1730。

　　測(cè)試結(jié)果分析

　　從測(cè)試結(jié)果來(lái)看，這次DDR3內(nèi)存的年度測(cè)試并沒(méi)有出乎我們的意料。和DDR2內(nèi)存相比，雖然DDR3的延遲依然比較高，但是憑借三通道以及更高的頻率，無(wú)論是PCMark成績(jī)還是內(nèi)存的讀寫(xiě)、int/float成績(jī)，和過(guò)去DDR2的測(cè)試成績(jī)相比，DDR3內(nèi)存依然在性能上超過(guò)DDR2內(nèi)存不少。在處理器性能越來(lái)越強(qiáng)的今天，恐怕也只有DDR3內(nèi)存才能跟上處理器的前進(jìn)的步伐了。

　　如果單從本次測(cè)試的產(chǎn)品來(lái)看，如果保持在同一頻率下，那么時(shí)序較低的產(chǎn)品無(wú)疑性能較好。除了PCMark Vantage和游戲以外，在大多數(shù)測(cè)試項(xiàng)目中，測(cè)試成績(jī)都是以時(shí)序高低為標(biāo)準(zhǔn)。而PCMark和游戲更多是和內(nèi)存的頻率相關(guān)，在延遲本身就較高的情況下，有一定時(shí)序的調(diào)整對(duì)成績(jī)影響不大。而對(duì)于時(shí)序調(diào)整而言，這就和內(nèi)存本身的顆粒、PCB以及整體做工有關(guān)了。我們看到少數(shù)內(nèi)存可以正常工作在CL6的環(huán)境下，而大多數(shù)內(nèi)存經(jīng)過(guò)優(yōu)化，都只能運(yùn)行在CL7的時(shí)序下，如果用戶本身對(duì)內(nèi)存以及修改內(nèi)存參數(shù)的BIOS比較了解的話，那么時(shí)序可以優(yōu)化到較低數(shù)值的產(chǎn)品，無(wú)疑可以帶給用戶更好的內(nèi)存性能。

　　超頻是內(nèi)存一個(gè)永遠(yuǎn)的話題，而本次參測(cè)的產(chǎn)品在內(nèi)存測(cè)試這一環(huán)節(jié)上，應(yīng)該可以令人滿意了。在不加電壓的環(huán)境下，即使是超頻成績(jī)最差的產(chǎn)品也可以超到DDR3 1680這一水準(zhǔn)上，這一成績(jī)足以滿足未來(lái)QPI或者外頻更高的處理器了。此外，從每款產(chǎn)品的工作溫度來(lái)看，沒(méi)有一款超過(guò)40℃的，這也說(shuō)明，盡管頻率大幅提升，但在新技術(shù)以及低電壓的環(huán)境下，DDR3內(nèi)存的工作溫度完全無(wú)需我們擔(dān)心。

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　　推薦產(chǎn)品：空缺

　　盡管本次參測(cè)的產(chǎn)品在測(cè)試成績(jī)上有高有低，但是從整體來(lái)看，沒(méi)有一款產(chǎn)品的成績(jī)能脫穎而出的。大多數(shù)產(chǎn)品在測(cè)試成績(jī)上比較相近，即使它們的默認(rèn)時(shí)序不一樣，但是在像PCMark以及實(shí)際的游戲測(cè)試中，這種時(shí)序上的優(yōu)勢(shì)卻無(wú)法體現(xiàn)出來(lái)。此外，就超頻成績(jī)而言，除了金士頓的DDR3內(nèi)存沒(méi)能跨過(guò)DDR3 1700的大關(guān)，其他參測(cè)DDR3 1333的內(nèi)存超頻幅度都相差不多，最高為DDR3 1740，最低為DDR3 1720，也就是說(shuō)實(shí)際的存儲(chǔ)單元頻率相差不到3MHz。鑒于這種情況，我們決定本次的“編輯推薦獎(jiǎng)”空缺。

　　從去年DDR3內(nèi)存開(kāi)始逐漸步入市場(chǎng)，但現(xiàn)在我們拿到的參測(cè)產(chǎn)品，不得不說(shuō)，DDR3內(nèi)存降價(jià)之快也是我們始料未及的。目前DDR3 1333單條1GB的內(nèi)存，價(jià)格在兩三百元左右，如果購(gòu)買(mǎi)DDR3 1066的內(nèi)存，價(jià)格還會(huì)更低，看來(lái)不僅是Intel要推廣DDR3內(nèi)存，即使是晶圓大廠以及內(nèi)存廠商，也試圖從DDR2內(nèi)存中擺脫出來(lái)，抓住DDR3這塊市場(chǎng)的先機(jī)。本次參測(cè)的內(nèi)存廠商，包括像勝創(chuàng)、金士頓、宇瞻、金泰克等，目前在市面上都有多款不同類(lèi)型的DDR3內(nèi)存在銷(xiāo)售。看來(lái)隨著Core i7平臺(tái)的推出，內(nèi)存廠商們也想借這股風(fēng)能推動(dòng)內(nèi)存的新市場(chǎng)。不過(guò)我們認(rèn)為，只有等Nehalem的中低端處理器以及相對(duì)應(yīng)的主板推出后，DDR3才能在市面上更迅速的普及，Core i7和X58主板，甚至是過(guò)去使用DDR3內(nèi)存的主板4系列主板還是顯得昂貴高端了一些。

　　超頻，Nehalem的新難題

　　其實(shí)對(duì)于DDR3內(nèi)存來(lái)說(shuō)，超頻并不是多難的事情，在過(guò)去的4系列主板上，只要電壓加到1.7V，大多數(shù)DDR3內(nèi)存都能達(dá)到DDR3 1800以上的成績(jī)，可在Core i7上又不一樣了。由于Core i7的核心電壓和內(nèi)存電壓同步，想要提升內(nèi)存電壓超頻，就必須同時(shí)提升處理器的核心電壓。相對(duì)的，玩家如果想要大幅度提升外頻，那么就不得不將核心電壓提升到一個(gè)并不安全的等級(jí)，這樣對(duì)那些想將處理器外頻超到更高的水準(zhǔn)的DIY玩家來(lái)說(shuō)，這無(wú)疑算是一個(gè)難題。這種“糾結(jié)”的結(jié)果很可能讓不少DIY玩家在超頻時(shí)束手束腳。這可能也是一些以超頻為賣(mài)點(diǎn)的主板廠商需要考慮的問(wèn)題。

　　時(shí)代巨輪不可阻擋

　　2008年和2009年都將是DDR2和DDR3并存的時(shí)代。但在2008年，DDR2內(nèi)存可以說(shuō)是意氣風(fēng)發(fā)，DDR3完全無(wú)法與其爭(zhēng)鋒;而在2009年，我們預(yù)計(jì)DDR3內(nèi)存的狀況將會(huì)得到大幅的改善，這是新一代IT產(chǎn)品的需要，也是時(shí)代進(jìn)步的需要。當(dāng)然，DDR2在2009年肯定不會(huì)就此消亡，畢竟大批的用戶以及產(chǎn)品依然需要DDR2內(nèi)存。不過(guò)我們相信DDR3內(nèi)存在普及的速度上肯定會(huì)比DDR2內(nèi)存快，畢竟現(xiàn)在的DDR3內(nèi)存的價(jià)格可遠(yuǎn)不如2004年DDR2內(nèi)存的價(jià)格高，而在Intel和AMD兩個(gè)巨頭的推動(dòng)下，DDR3內(nèi)存必然將在較短的時(shí)間里徹底吞噬DDR2內(nèi)存的市場(chǎng)。

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